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参数资料
| 型号： | ZVP4105ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 50V TO92-3 |
| 产品变化通告： | End Of Life 30/July/2009 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 175mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ? MARCH 94
FEATURES
* 50 Volt V DS
* R DS(on) =10 ?
* Low threshold
ZVP4105A
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-50
-175
-520
± 20
625
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-50
V
I D =-0.25mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
V GS(th)
I GSS
I DSS
-0.8
-2.0
10
-15
-60
-100
V
nA
μ A
μ A
nA
ID=-1mA, V DS = V GS
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-50V, V GS =0V
V DS =-50V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =-25V, V GS =0V
Static Drain-Source On-State R DS(on)
Resistance (1)
10
?
V GS =-5V,I D =-100mA
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)(4)
g fs
C iss
50
40
mS
pF
V DS =-25V,I D =-100mA
Common Source Output
Capacitance (2)(4)
Reverse Transfer
Capacitance (2)(4)
C oss
C rss
15
6
pF
pF
V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz
Turn-On Delay Time (2)(3)(4) t d(on)
10
ns
Rise Time (2)(3)(4) t r
Turn-Off Delay Time (2)(3)(4) t d(off)
10
18
ns
ns
V DD ≈ -30V, I D =-270mA
Fall Time (2)(3)(4)
t f
25
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
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(
4
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KB16SKG01-5C-JC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| 3386G-1-501LF | TRIMMER 500 OHM 0.5W TH |
| 3386P-1-205T | TRIMMER 2M OHM 0.5W TH |
| 3386G-1-105LF | TRIMMER 1M OHM 0.5W TH |
| 3386P-1-202T | TRIMMER 2K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP4105ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4105ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4424A | 功能描述:MOSFET P-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4424A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P LOGIC E-LINE |
| ZVP4424ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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