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参数资料
| 型号： | ZVP4424ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 240V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 240V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP4424A
TYPICAL CHARACTERISTICS
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
300 μ s Pulsed Test
V GS =-10V
-5V
-4V
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
V DS =-10V
-0.4
-0.2
-3V
-2.5V
-0.4
-0.2
300 μ s Pulsed Test
-2V
0
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-2
-4
-6
-8
-10
400
300
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
400
300
V GS - Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
200
300 μ s Pulsed Test
200
300 μ s Pulsed Test
100
V DS =-10V
100
V DS =-10V
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
0
-2
-4
-6
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
I D =0.2A
(on
DS
ce
ist
Re
rce
ou
ain
Gate T
Voltag reshold
100
10
V GS =-2V
-2.5V
-3V
-10V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
Dr
-S
V GS= -10V
R
an
s
h
e V GS(T H)
)
300 μ s Pulsed Test
0.6
0.4
0.2
V GS= V DS
I D= -1mA
1
-0.01
-0.1
-1
-10
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D- Drain Current (Amps)
On-resistance vs Drain Current
Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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