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参数资料
| 型号： | ZVP4424ASTOB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 240V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 240V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ? SEPTEMBER 94
FEATURES
* 240 Volt V DS
* R DS(on) =9 ?
* Low threshold
APPLICATIONS
ZVP4424A
* Electronic Hook Switch
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-240
-200
-1
± 40
750
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-240
V
I D =-1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward
Transconductance (1) (2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
V GS(th)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-0.7
-0.75
125
-1.4
-1.0
7.1
8.8
100
18
5
8
8
26
20
-2.0
100
-10
-100
9
11
200
25
15
15
15
40
30
V
nA
μ A
μ A
A
?
?
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ID=-1mA, V DS = V GS
V GS = ± 40V, V DS =0V
V DS =-240 V, V GS =0
V DS =-190V, V GS =0V, T=125°C
V DS =-10 V, V GS =-10V
V GS =-10V,I D =-200mA
V GS =-3.5V,I D =-100mA
V DS =-10V,I D =-0.2A
V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz
V DD ≈? 50V, I D =-0.25A,
V GEN =-10V
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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