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参数资料
| 型号： | ZVP4424GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 240V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 480mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVP4424GDKR |
ZVP4424G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-240
V
I D =-1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward
Transconductance (1) (2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
V GS(th)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-0.7
-0.75
125
-1.4
-1.0
7.1
8.8
100
18
5
8
8
26
20
-2.0
100
-10
-100
9
11
200
25
15
15
15
40
30
V
nA
μ A
μ A
A
?
?
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I D =-1mA, V DS = V GS
V GS = ± 40V, V DS =0V
V DS =-240V, V GS =0V
V DS =-190V, V GS =0V, T=125°C
V DS =-10V, V GS =-10V
V GS =-10V, I D =-200mA
V GS =-3.5V, I D =-100mA
V DS =-10V,I D =-0.2A
V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz
V DD ≈? 50V, I D =-0.25A,
V GEN =-10V
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
TYPICAL CHARACTERISTICS
C
C
Note:V
0V
V = -20V
-50V
-100V
C
Note:I
0.25A
V
-Drain Source Voltage (Volts)
Q-Gate Charge (nC)
Capacitance v drain-source voltage
3 - 439
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4424GTA | MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 |
| 2000336 | TRANSDUCER 75# PRES 4-20MA |
| 6341 | KIT PROBE ELECT PREC W/REPL TIPS |
| 2000330 | TRANSDUCER 50# PRES 4-20MA |
| 2000316 | TRANSDUCER 25# PRES 4-20MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP4424GTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4424Z | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVP4424ZTA | 功能描述:MOSFET P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4525 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVP4525E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
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