参数资料
型号: ZXM64P03XTA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
产品目录绘图: MSOP-8
MSOP-8 Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 2.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 825pF @ 25V
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXM64P03XDKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXM64P03X
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
D
MSOP-8
Dim Min Max Typ
4x
10
0.25
°
A
A1
A2
- 1.10 -
0.05 0.15 0.10
0.75 0.95 0.86
y
x
E Gauge Plane
Seating Plane
4x10°
L
A3
b
c
D
E
0.29 0.49 0.39
0.22 0.38 0.30
0.08 0.23 0.15
2.90 3.10 3.00
4.70 5.10 4.90
Detail C
E1
2.90 3.10 3.00
1
b
A3
E3
E3
e
L
2.85 3.05 2.95
- - 0.65
0.40 0.80 0.60
A2
A
a
8° 4°
A1
e
E1
c
See Detail C
x - - 0.750
y - - 0.750
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
C
Y
Dimensions Value (in mm)
C
0.650
Y1
ZXM64P03X
Document Number DS33487 Rev. 2 - 2
6 of 7
www.diodes.com
X
Y
Y1
0.450
1.350
5.300
October 2012
? Diodes Incorporated
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ZXM66N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
ZXM66N03N8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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