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参数资料
| 型号： | ZXMD63N02XTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 2.4A 8-MSOP |
| 产品目录绘图： | MSOP-8 MSOP-8 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMD63N02XDKR |
ZXMD63N02X
Package Outline Dimensions
D
MSOP-8
Dim Min Max Typ
10
0.25
4x
°
A
A1
A2
- 1.10 -
0.05 0.15 0.10
0.75 0.95 0.86
y
x
E Gauge Plane
Seating Plane
A3
b
c
0.29 0.49 0.39
0.22 0.38 0.30
0.08 0.23 0.15
A2
1
b
A
A3
L
4x10°
Detail C
E3
D
E
E1
E3
e
L
2.90 3.10 3.00
4.70 5.10 4.90
2.90 3.10 3.00
2.85 3.05 2.95
-
- 0.65
0.40 0.80 0.60
A1
e
E1
c
See Detail C
a
x
y
0°
-
-
8° 4°
- 0.750
- 0.750
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
C
Y
Dimensions Value (in mm)
C
X
Y
0.650
0.450
1.350
Y1
ZXMN63N02X
Document number: DS33500 Rev. 2 - 2
7 of 8
www.diodes.com
Y1
5.300
June 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-HC53B-102.4 | OSC 102.4 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FVXO-HC53B-106.25 | OSC 106.25 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC528-80 | OSC 80 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| FVXO-HC52BR-65 | OSC 65 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| M2012TXW15 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMD63N02XTC | 功能描述:MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD63N03X | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL NN MSOP8 |
| ZXMD63N03X_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63N03XTA | 功能描述:MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD63N03XTC | 功能描述:MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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