- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18270 > ZXMD63P02XTA (Diodes Inc)MOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMD63P02XTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP |
| 产品目录绘图： | MSOP-8 MSOP-8 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMD63P02XDKR ZXMD63P02XDKR-ND |
ZXMD63P02X
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
-20
V
I D =-250 μ A, V GS =0V
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
-1
μ A
V DS =-20V, V GS =0V
Gate-Body Leakage
I GSS
± 100
nA
V GS = ± 12V, V DS =0V
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
-0.7
V
I D =-250 μ A, V DS =
V GS
Static Drain-Source On-State Resistance
(1)
R DS(on)
0.27
0.40
?
?
V GS =-4.5V, I D =-1.2A
V GS =-2.7V, I D =-0.6A
Forward Transconductance (3)
g fs
1.3
S
V DS =-10V,I D =-0.6A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
C iss
290
pF
Output Capacitance
C oss
120
pF
V DS =-15 V, V GS =0V,
f=1MHz
Reverse Transfer Capacitance
C rss
50
pF
SWITCHING(2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
3.4
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
t r
t d(off)
9.6
16.4
ns
ns
V DD =-10V, I D =-1.2A
R G =6.0 ? , R D =8.3 ?
(Refer to test
Fall Time
t f
20.4
ns
circuit)
Total Gate Charge
Q g
5.25
nC
Gate-Source Charge
Q gs
1.0
nC
V DS =-16V,V GS =-4.5V,
I D =-1.2A
Gate Drain Charge
Q gd
2.25
nC
(Refer to test
circuit)
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V SD
-0.95
V
T j =25°C, I S =-1.2A,
V GS =0V
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge(3)
t rr
Q rr
21.7
9.6
ns
nC
T j =25°C, I F =-1.2A,
di/dt= 100A/ μ s
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 1 - JUNE 2004
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2646LH/2A21600L110V | SWITCH ROCKER DPDT 16A 125V |
| B1RKV | SWITCH TOGGLE SPDT SNAP VERT |
| M2012S2A2W25/UC | SW TOGGLE SPDT BAT KEYWAY STR PC |
| 47A3P1R5M1RT | SWITCH ROCKER 3PDT 0.4VA 20V |
| 47A3P1R3M2RT | SWITCH ROCKER 3PDT 0.4VA 20V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMD63P02XTC | 功能描述:MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD63P03X | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63P03X_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63P03XTA | 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD63P03XTC | 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。