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参数资料
| 型号： | ZXMN3A02X8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 8MSOP |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3A02X8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate Source Voltage
Continuous Drain Current V GS =10V; T A =25°C (b)
V GS =10V; T A =70°C (b)
V GS =10V; T A =25°C (a)
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode) (c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
P D
T j :T stg
LIMIT
30
20
6.7
5.4
5.3
24
3.2
24
1.1
8.8
1.8
14.4
-55 to +150
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)
Junction to Ambient (b)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
VALUE
113
70
UNIT
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D = 0.05, pulse width 10 s - pulse width limited by maximum
junction temperature.
ISSUE 1 - JANUARY 2002
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3362M-1-204R | TRIMMER 200K OHM 0.5W TH |
| F0102 | SW CAP BULLET WHITE 7MM ACT |
| HB15SKW01 | SWITCH PUSH SPDT 0.1A 30V |
| M2B15AA5G40-FA | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| 3314S-3-201E | TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3A03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 4.6A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
| ZXMN3A03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXMN3A03E6_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A03E6TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A03E6TC | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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