参数资料
型号: ZXMN3A04DN8TA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 1/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
产品目录绘图: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 12.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 15V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMN3A04DN8DKR
ZXMN3A04DN8
DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V (BR)DSS = 30V; R DS(ON) = 0.02
; I D = 8.5A
DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? DC - DC Converters
? Power Management Functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
SO8
DEVICE
ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TC
REEL
7 ’‘
13’‘
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
PINOUT
DEVICE MARKING
ZXMN
3A04D
Top view
ISSUE 2 - OCTOBER 2002
1
相关PDF资料
PDF描述
M2012TNW03-EA SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V
B32653A2682K189 FILM CAP 6.8NF 10% 2000V MKP
M2012TNW03-DC SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V
M2012TNW03-DB SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V
M2012TNW03-DA SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
ZXMN3A04DN8TC 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3A04K 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
ZXMN3A04KTC 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3A05N8TA 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
ZXMN3A06DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET