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参数资料
| 型号： | ZXMN6A25DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1063pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A25DN8DKR |
ZXMN6A25DN8
Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
0.050 @ V GS = 10V
0.070 @ V GS = 4.5V
I D (A)
5
4.2
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex
features a unique structure combining the benefits of
low on-resistance and fast switching, making it ideal
for high efficiency power management applications.
Features
? Low on-resistance
?
Fast switching speed
?
Low gate drive
?
Low profile SO8 package
Applications
?
DC - DC converters
G1
D1
S1
S1
G2
D2
S2
D1
?
?
Power management functions
Motor control
G1
S2
D1
D2
Ordering information
G2
D2
Device
ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TC
Reel
(inches)
7
13
Tape width
(mm)
12
12
Quantity
per reel
500
2500
Pin out - top view
Device marking
ZXMN
6A25D
Issue 4 - November 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25G | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZXMN6A25K | MOSFET N-CHAN 60V DPAK |
| ZXMN7A11GTA | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 |
| ZXMN7A11KTC | MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A25G | 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ZXMN6A25GTA | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A25K | 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ZXMN6A25KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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