参数资料
型号: ZXMP6A16DN8TA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8-SOIC
产品目录绘图: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
其它图纸: SO-8 Single Pin Out
标准包装: 1
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1021pF @ 30V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMP6A16DN8DKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A16DN8
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
A1
Min
-
0.10
Max
1.75
0.20
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
b
1.30
0.15
0.3
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
θ
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
0 ° 8 °
e
b
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Y
Value (in mm)
0.60
1.55
C2
Y
ZXMP6A16DN8
Document number: DS33586 Rev. 4 - 2
C1
7 of 8
www.diodes.com
C1
C2
5.4
1.27
July 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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