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参数资料
| 型号： | ZXMP6A16KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V DPAK |
| 其它图纸： | D-PAK D-PAK Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1021pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.11W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP6A16KDKR |
ZXMP6A16K
Package outline - DPAK
DIM
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
D1
E
E1
Inches
Min Max
0.086 0.094
- 0.005
0.020 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.024
0.018 0.023
0.213 0.245
0.205 -
0.250 0.265
0.170 -
Millimeters
Min Max
2.18 2.39
- 0.127
0.508 0.89
0.762 1.14
5.21 5.46
0.457 0.61
0.457 0.584
5.41 6.22
5.21 -
6.35 6.73
4.32 -
DIM
e
H
L
L1
L2
L3
L4
L5
1 °
°
-
Inches
Min Max
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.065
0.025 0.040
0.045 0.060
0° 10°
0° 15°
- -
Millimeters
Min Max
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40 1.78
2.74 REF
0.508 BSC
0.89 1.65
0.635 1.016
1.14 1.52
0° 10°
0° 15°
- -
Note: Controlling dimensions are in inches. Approximate dimensions are provided in millimeters
Issue 3 - June 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
7
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP6A17DN8TA | MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC |
| ZXMP6A17E6TA | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 |
| ZXMP6A17GTA | MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 |
| ZXMP6A17KTC | MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK |
| ZXMP6A17N8TC | MOSFET P-CH 60V 2.7A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMP6A17DN8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A17DN8TA | 功能描述:MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMP6A17DN8TC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A17E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A17E6TA | 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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