参数资料
型号: ZXMP6A17DN8TA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC
产品目录绘图: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
其它图纸: SO-8 Single Pin Out
标准包装: 1
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫欧 @ 2.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 637pF @ 30V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMP6A17DN8DKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A17DN8
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
Dim
A
SO-8
Min
-
Max
1.75
Detail ‘A’
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
b
D
E
E1
0.3
4.85
5.90
3.85
0.5
4.95
6.10
3.95
e
D
b
e
h
L
??
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
ZXMP6A17DN8
Document Number DS33588 Rev 4 - 2
C2
C1
7 of 8
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
PDF描述
ZXMP6A17E6TA MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
ZXMP6A17KTC MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
ZXMP6A17N8TC MOSFET P-CH 60V 2.7A SO8
ZXMP6A18DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
ZXMP6A17DN8TC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6TA 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP6A17E6TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: