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参数资料
| 型号： | ZXMP6A18DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1580pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP6A18DN8DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A18DN8
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
Detail ‘A’
b
D
E
0.3
4.85
5.90
0.5
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
?? 0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
ZXMP6A18DN8
Document Number DS33592 Rev 2 - 2
C2
C1
7 of 8
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP6A18KTC | MOSFET P-CHAN 60V DPAK |
| ZXMP7A17GTA | MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223 |
| ZXMP7A17KTC | MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK |
| 1-46673-0 | TOOL HEAD CRIMP 22-16AWG STRATO |
| 1-47387-0 | TOOL HEAD CRIMP 16-14AWG PIDG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMP6A18DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A18K | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P D-PAK 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, D-PAK 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 60V, -10.4A, DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes |
| ZXMP6A18KTC | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel 6.8A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMP7A17G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-223 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, SOT-223, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:3 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 70V, -3.7A, SOT-223, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.7A, Drain Source Voltage Vds:70V, On Resistance Rds(on):160mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-1V, No. of Pins:4 , RoHS Compliant: Yes |
| ZXMP7A17GTA | 功能描述:MOSFET P-Ch 70V 3.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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