1N4148W.ST

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1N4148W.ST 技术参数

1N4148W RHG 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4148UR-1/TR 功能描述:GLASS AXIAL SWITCHING DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N4148UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4148UBD 功能描述:SWITCHING DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4148UBCC 功能描述:SWITCHING DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4148W-HE3-08 1N4148W-HE3-18 1N4148W-HG3-08 1N4148W-HG3-18 1N4148WL2-TP 1N4148WLP-TP 1N4148WQ-7-F 1N4148WS 1N4148WS RRG 1N4148WS-13-F 1N4148WS-7 1N4148WS-7-F 1N4148WS-E3-08 1N4148WS-E3-18 1N4148WSF-7 1N4148WSFL-G3-08 1N4148WS-G RVG 1N4148WS-G3-08