您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 > 1字母第5209页 >

1N4150_T50R

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
1N4150_T50R PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 High Conductance Ultra Fast
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
1N4150_T50R 技术参数
  • 1N4150_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:5,000 1N4150_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:5,000 1N4150_S62Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:2,000 1N4150 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N4150 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:2,000 1N4150W-G3-18 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08
配单专家

在采购1N4150_T50R进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N4150_T50R产品风险,建议您在购买1N4150_T50R相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N4150_T50R信息由会员自行提供,1N4150_T50R内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号