1N4150 TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4150 TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

1N4150 TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
48420
CENTRAL S
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

1N4150 TR PBFREE
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
40000
Central Semiconductor
DO-35 (SOD-27)
2035
-

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1

您是不是要找： 1N4150_S62Z 1N4150_T26A 1N4150_T50A 1N4150_T50R 1N4150-1 1N4150TAP 1N4150TR 1N4150TR_S00Z 1N4150UR-1

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功能描述
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
50V
电流 - 平均整流（Io）
200mA
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1V @ 200mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）
6ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 50V
不同?Vr，F 时的电容
2.5pF @ 0V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
工作温度 - 结
-65°C ~ 200°C
标准包装
1

1N4150 TR 技术参数

1N4150 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N4149TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N4149_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N4149 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4148X-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4150UR-1/TR 1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-18 1N4150W-G3-08 1N4150W-G3-18 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08