1N5990UR-1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 3.9V 20% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk

1N5990UR-1 技术参数

1N5990UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5990D 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5990C 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5990B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5990B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5992A 1N5992B 1N5992B BK 1N5992B_T50A 1N5992B_T50R 1N5992C 1N5992D 1N5992UR 1N5992UR-1 1N5993A 1N5993B 1N5993B BK 1N5993B TR 1N5993B_T50A 1N5993B_T50R 1N5993B-TP 1N5993C 1N5993D