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1N5991B TR

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
  • 4.3V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 88 Ohms
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 1V
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.5V @ 100mA
  • 工作温度
  • -65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-35
  • 标准包装
  • 10,000
1N5991B TR 技术参数
  • 1N5991B 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):88 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5991A 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5990UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5990UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5990D 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5992B_T50A 1N5992B_T50R 1N5992C 1N5992D 1N5992UR 1N5992UR-1 1N5993A 1N5993B 1N5993B BK 1N5993B TR 1N5993B_T50A 1N5993B_T50R 1N5993B-TP 1N5993C 1N5993D 1N5993UR 1N5993UR-1 1N5994A
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