1N6508JTX

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1N6508JTX 技术参数

1N6508 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N6507 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N6506 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N649UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6492 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6542 1N6543 1N6544 1N6545 1N6546 1N6547 1N6548 1N6549 1N6620 1N6620US 1N6621 1N6621US 1N6621US/TR 1N6622 1N6622US 1N6623 1N6623US 1N6624