1N6632US

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Zener Single 3.3V 5% 5W 2-Pin E-MELF
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 3.3V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk

1N6632US 技术参数

1N6632 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 1N6631US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 1100V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6631 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 1100V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6630US 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6630 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:990V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 990V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643 1N6643US 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659