您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 > 1字母第5319页 >

1N6631

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1N6631 *S
    1N6631 *S

    1N6631 *S

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 153

  • MSC

  • -
  • 公司现货,只做原装!

  • 1N6631 *S
    1N6631 *S

    1N6631 *S

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 153

  • MSC

  • -
  • 公司现货,只做原装!

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
1N6631 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 1KV 4A 2PIN E - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG
1N6631 技术参数
  • 1N6630US 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 电流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6630 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):990V 电流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 990V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6629US 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):880V 电流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 880V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6629 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):880V 电流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 880V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6628US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):2.3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643 1N6643US 1N6657 1N6657R
配单专家

在采购1N6631进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N6631产品风险,建议您在购买1N6631相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N6631信息由会员自行提供,1N6631内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号