1N6511JXV

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1N6511JXV 技术参数

1N6511 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:7 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N6510 功能描述:TVS DIODE 16CFP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-CFlatPack 供应商器件封装:16-CFlatPack 标准包装:1 1N6509 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:8 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N6508 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N6507 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:14-CDIP 标准包装:1 1N6545 1N6546 1N6547 1N6548 1N6549 1N6620 1N6620US 1N6621 1N6621US 1N6621US/TR 1N6622 1N6622US 1N6623 1N6623US 1N6624 1N6624US 1N6625 1N6625E3