1N967B TR

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1N967B TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
国半
DO35
最新批号
-
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功能描述
DIODE ZENER 18V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
18V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
21 Ohms
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 13.7V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.5V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
10,000

1N967B TR 技术参数

1N967B BK 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N967B 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N967A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N966BTR 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N966B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N968B_S00Z 1N968B_T50A 1N968B_T50R 1N968BTR 1N969A 1N969B 1N969B BK 1N969B TR 1N969B_T50A 1N969B_T50R 1N969BTR 1N970A 1N970B 1N970B BK 1N970B TR 1N970B_T50A 1N970B_T50R 1N970BTR