1N967B_S62Z

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功能描述
稳压二极管 18V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N967B_S62Z 技术参数

1N967B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW 5% DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N967B TR 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N967B BK 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N967B 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N967A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N968B_T50R 1N968BTR 1N969A 1N969B 1N969B BK 1N969B TR 1N969B_T50A 1N969B_T50R 1N969BTR 1N970A 1N970B 1N970B BK 1N970B TR 1N970B_T50A 1N970B_T50R 1N970BTR 1N971A 1N971B