1SV229(TPH3.F)

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1SV229(TPH3.F) 技术参数

1SV228TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR DUAL 15V SC-59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产不同?Vr，F 时的电容:13.7pF @ 8V，1MHz 电容比:2.6 电容比条件:C3/C8 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:1 对共阴极不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 1SS427,L3M 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-923 供应商器件封装:SOD-923 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1SS424(TPL3,F) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS423(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:620mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 1SS417CT,L3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:620mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SV264-TL-E 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F 1SV279TH3FT 1SV280,H3F 1SV281(TPH3,F) 1SV281TH3FT 1SV282TPH3F 1SV285TPH3F 1SV304TPH3F 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F) 1SV308(TH3,F) 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F)