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参数资料
| 型号： | 100BGQ100J |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 100 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | POWIRTAB-1 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 100BGQ100J |
100BGQ100, 100BGQ100J
3
Bulletin PD-20999 rev. B 12/02
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
Fig.1-Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
F
FM
Forward Voltage Drop - V
(V)
In
st
a
n
ta
ne
o
us
F
o
rw
a
rd
C
ur
re
n
t-
I
(
A
)
T = 175°C
T = 125°C
T = 25°C
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
204060
80
100
R
150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
Re
ve
rs
e
C
ur
re
nt
-I
(m
A
)
Reverse Voltage - V (V)
T = 175°C
J
100
1000
10000
0
20
406080
100
R
T
Ju
nc
tio
n
C
a
pa
c
itan
ce
-
C
(
p
F)
Reverse Voltage - V (V)
T = 25°C
J
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
th
JC
t , Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Single Pulse
(Thermal Resistance)
1
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(°C
/W)
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
thJC
C
DM
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
2
t
1
t
PDM
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