参数资料
| 型号： | 11LC010T-E/TT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 15/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1K FLASH SOT-23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (128 x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | UNI/O?（单线） |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页当前第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页
11AAXXX/11LCXXX
4.6 Write Status Register ( WRSR )
Instruction
The WRSR instruction allows the user to select one of
four levels of protection for the array by writing to the
appropriate bits in the STATUS register. The array is
divided up into four segments. The user has the ability
to write-protect none, one, two, or all four of the seg-
ments of the array. The partitioning is controlled as
illustrated in Table 4-3.
After transmitting the STATUS register data, the master
must transmit a NoMAK during the Acknowledge
sequence in order to initiate the internal write cycle.
Note: The WRSR instruction must be termi-
nated with a NoMAK following the data
byte. If a NoMAK is not received at this
point, the command will be considered
invalid, and the device will go into Idle
mode without responding with a SAK or
executing the command.
TABLE 4-3:
ARRAY PROTECTION
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Address Ranges Write-Protected
None
Upper 1/4
Upper 1/2
All
Address Ranges Unprotected
All
Lower 3/4
Lower 1/2
None
TABLE 4-4:
PROTECTED ARRAY ADDRESS LOCATIONS
Density
1K
2K
4K
8K
16K
Upper 1/4
60h-7Fh
C0h-FFh
180h-1FFh
300h-3FFh
600h-7FFh
Upper 1/2
40h-7Fh
80h-FFh
100h-1FFh
200h-3FFh
400h-7FFh
All Sectors
00h-7Fh
00h-FFh
000h-1FFh
000h-3FFh
000h-7FFh
FIGURE 4-7:
WRITE STATUS REGISTER COMMAND SEQUENCE
SCIO
Standby Pulse
Start Header
0 1 0 1 0 1 0 1
Device Address
1 0 1 0 0 0 0 0 (1)
SCIO
Command
0 1 1 0 1 1 1 0
Status Register Data
7 6 5 4 3 2 1 0
Twc
Note 1: For the 11XXXX1, this bit must be a ‘ 1 ’.
? 2010 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22067H-page 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP2SGX60EF1152C4N | IC STRATIX II GX 60K 1152-FBGA |
| 11AA010T-I/MS | IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8MSOP |
| EP2SGX60DF780C4 | IC STRATIX II GX 60K 780-FBGA |
| AGM40DRMH | CONN EDGECARD 80POS .156 WW |
| A1460A-CQ196C | IC FPGA 6K GATES 196-CQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11LC010T-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC010T-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC010T-I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K UNI/O? Serial EEPROM Family Data Sheet |
| 11LC010T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC010T-I/TT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。