参数资料
| 型号： | 11LC010T-E/TT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 40/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1K FLASH SOT-23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (128 x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | UNI/O?（单线） |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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11AAXXX/11LCXXX
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DS22067H-page 40
Preliminary
? 2010 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP2SGX60EF1152C4N | IC STRATIX II GX 60K 1152-FBGA |
| 11AA010T-I/MS | IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8MSOP |
| EP2SGX60DF780C4 | IC STRATIX II GX 60K 780-FBGA |
| AGM40DRMH | CONN EDGECARD 80POS .156 WW |
| A1460A-CQ196C | IC FPGA 6K GATES 196-CQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11LC010T-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC010T-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC010T-I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K UNI/O? Serial EEPROM Family Data Sheet |
| 11LC010T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC010T-I/TT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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