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参数资料
| 型号： | 11LC161-E/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16K SER AUTO 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | UNI/O?（单线） |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
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11AAXXX/11LCXXX
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS
Electrical Characteristics:
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I): V CC = 2.5V to 5.5V
V CC = 1.8V to 2.5V
Automotive (E): V CC = 2.5V to 5.5V
T A = -40°C to +85°C
T A = -20°C to +85°C
T A = -40°C to +125°C
Param.
No.
1
2
3
Sym.
F BUS
T E
T IJIT
Characteristic
Serial bus frequency
Bit period
Input edge jitter tolerance
Min.
10
10
—
Max.
100
100
±0.08
Units
kHz
μs
UI
—
—
(Note 3)
Test Conditions
4
F DRIFT Serial bus frequency drift
—
±0.75
% per byte —
rate tolerance
5
F DEV
Serial bus frequency drift
—
±5
% per
—
limit
command
6
7
T OJIT
T R
Output edge jitter
SCIO input rise time
—
—
±0.25
100
UI
ns
(Note 3)
—
(Note 1)
8
T F
SCIO input fall time
—
100
ns
—
(Note 1)
9
T STBY Standby pulse time
600
—
μs
—
10
11
T SS
T HDR
Start header setup time
Start header low pulse
10
5
—
—
μs
μs
—
—
time
12
T SP
Input filter spike
—
50
ns
(Note 1)
suppression (SCIO)
13
14
T WC
—
Write cycle time
(byte or page)
Endurance (per page)
—
—
1M
5
10
—
ms
ms
cycles
Write, WRSR commands
ERAL, SETAL commands
25°C, V CC = 5.5V (Note 2)
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific
application, please consult the Total Endurance ? Model which can be obtained on Microchip’s web site:
www.microchip.com.
3:
A Unit Interval (UI) is equal to 1-bit period (T E ) at the current bus frequency.
TABLE 1-3:
AC TEST CONDITIONS
AC Waveform:
V LO = 0.2V
V HI = V CC - 0.2V
C L = 100 pF
Timing Measurement Reference Level
Input
Output
0.5 V CC
0.5 V CC
DS22067H-page 4
Preliminary
? 2010 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1206704-4 | FOENC 1U SOLARIUM MTRJ |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11LC161-ESN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K UNI/O? Serial EEPROM Family Data Sheet |
| 11LC161-ETO | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K UNI/O? Serial EEPROM Family Data Sheet |
| 11LC161-ETT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K UNI/O? Serial EEPROM Family Data Sheet |
| 11LC161-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 16K 2048 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11LC161-I/P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 16K 2048 X 8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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