型号: | 1225AS-H-6R8M |
厂商: | TOKO INC |
元件分类: | 通用定值电感 |
英文描述: | 1 ELEMENT, 6.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
封装: | CHIP, 2830-10M, ROHS COMPLIANT |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 185K |
代理商: | 1225AS-H-6R8M |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1225AS-H-6R8M=P2 | 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 204 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:720mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):204 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 |
1225AS-H-R47N | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 0.47uH 30% 3,1A 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor DEM2812C SMD 0.47uH 3,1A |
1225AS-H-R47N=P2 | 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±30% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):31 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 |
1225AS-H-R68N | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor DEM2812C SMD 0.68uH 2,9A 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 0.68uH 30% 2,9A |
1225AS-H-R68N=P2 | 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 37 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM2812C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680nH 容差:±30% 额定电流:2.9A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):37 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 |