型号: | 1N23E |
厂商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 射频混频器 |
英文描述: | SILICON, KU BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 33K |
代理商: | 1N23E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N23WGM | SILICON, X-KU BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
1N248 | 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
1N4530 | 40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
1N250B | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N251A | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N23EM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
1N23EMR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
1N23ER | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:SILICON MIXER DIODE |
1N23F | 制造商:ALPHA 功能描述:5961000707024 |
1N23FM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |