型号: | 1N3065TR-RMCU |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 0.075 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 26K |
代理商: | 1N3065TR-RMCU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1N4153BK | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4449BK | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4864TR-RECU | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N914TR-RECU | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N649TR | 0.4 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N3067 | 制造商:-- 功能描述:Rectifier Diode, 30 Volt, DO-7 |
1N3069 | 制造商:ELCIND 功能描述: |
1N3070 | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N3070_T50R | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N3070-1 | 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AA,DO-7,轴向 供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |