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参数资料
| 型号： | 1N3290 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | 1N3290 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N3573R | 3.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N4509 | 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N2377 | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5618USS | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N6286C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N3290A | 功能描述:RECTIFIER STUD 300V 100A DO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N3290AR | 功能描述:RECTIFIER STUD 300V 100A DO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N3290R | 功能描述:整流器 300 Volt 150 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N3290R/(MATRIX) | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:300V 100A |
| 1N3290S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON POWER RECTIFIER |
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