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参数资料
| 型号： | 1N4001G |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 1N4001G |
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
IR
@TA
=75 C
@TJ=125 C
1N4001G thru 1N4007G
FEATURES
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
4003G
200
140
200
1N
4001G
50
35
50
1N
4007G
1000
700
1000
1N
4002G
100
70
100
1N
4006G
800
560
800
1N
4005G
600
420
600
1N
4004G
400
280
400
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ=25 C
1.0
30
1.1
5
50
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +150
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
C
Typical Thermal Resistance (Note 2)
R0JA
45
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance (Note 1)
10
pF
uA
V
A
V
UNIT
V
All Dimensions in millimeter
Max.
Min.
DO-41
Dim.
A
D
C
B
25.4
5.20
-
4.10
0.71
2.00
2.70
0.86
DO-41
A
C
D
A
B
CHARACTERISTICS
SYMBOL
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT - 1.0 Amperes
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 3, May-2008, KDDC01
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4004G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001G | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4004G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4006G | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001S | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4001-G | 功能描述:整流器 VR=50V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4001G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4001G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4001G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000 |
| 1N4001G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
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