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参数资料
| 型号： | 1N4005G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE STD REC 1A 600V DO-41 |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-41 Pkg |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1565 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4005GOS |
    1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007 http://onsemi.com 3 1 0.1 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.1 1.21 VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current 10 I F , FORWARD CURRENT (A) TC = 25 °C TC = 150 °C TC = 100 °C 1.0E?09 0 100 200 300 400 500 600 700 900 1000800 VR, REVERSE VOLTAGE (V) Figure 3. Typical Capacitance I R , REVERSE CURRENT (A) TC = 25 °C TC = 150 °C TC = 100 °C 1.0E?08 1.0E?07 1.0E?06 1.0E?05 1.0E?04 100 1 0 20 40 60 80 100 120 140 180 200160 VR, REVERSE VOLTAGE (V) 10 C, CAPACITANCE (pF) TJ = 25 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B51-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W |
| VE-B4T-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W |
| 1N4002G | DIODE STD REC 1A 100V DO-41 |
| VE-B4P-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
| V24B3V3T150BL2 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 150W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4005-G | 功能描述:整流器 VR=600V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4005G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| 1N4005G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4005G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000 |
| 1N4005G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
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