参数资料
型号: 1N4005G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 96K
描述: DIODE STD REC 1A 600V DO-41
产品目录绘图: Rectifier DO-41 Pkg
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 1A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-41
包装: 散装
产品目录页面: 1565 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1N4005GOS
1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007
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Specifications Brochure, BRD8011/D.
*This package is inherently Pb?Free.
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参数描述
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1N4005G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1
1N4005G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
1N4005G BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000
1N4005G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000