| 型号: | 1N4006 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP |
| 元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述: | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数: | 2/3页 |
| 文件大小: | 238K |
| 代理商: | 1N4006 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4013 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N4056R | 275 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-9 |
| 1N4100 | 7.5 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4102 | 8.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4104V | 10 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4006- | 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A |
| 1N4006 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4006 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 |
| 1N4006 R0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K |
| 1N4006 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 |