收藏本站
参数资料
型号： 1N4006
厂商： MICROSEMI CORP
元件分类： 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述： 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件页数： 3/3页
文件大小： 238K
代理商： 1N4006
1
100
4
0
10
20
30
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10
20
60 80
40
50
60
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
20
120
40
60
80
100
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
TA=25
°C
40
60
100
140
TA=100
°C
1N4001 thru 1N4007
相关PDF资料
PDF描述
1N4013 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
1N4056R 275 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-9
1N4100 7.5 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N4102 8.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N4104V 10 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4006- 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A
1N4006 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4006 BK 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000
1N4006 R0 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K
1N4006 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*