参数资料
型号: 1N4009X
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数: 1/3页
文件大小: 121K
代理商: 1N4009X
相关PDF资料
PDF描述
1N4009 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4154R 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4154 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4151 0.1 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N486BR 0.15 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4010 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 2PIN DO-35 - Bulk
1N4044 功能描述:RECTIFIER STUD 50V 275A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
1N4044R 功能描述:RECTIFIER STUD 50V 275A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
1N4045 功能描述:RECTIFIER STUD 100V 275A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
1N4045DU 制造商:WEST 功能描述: