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参数资料
| 型号： | 1N4139LEADFREE |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 1N4139LEADFREE |
Central
Semiconductor Corp.
TM
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N4140LEADFREE | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N4141LEADFREE | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N4142LEADFREE | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N4143LEADFREE | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N4144LEADFREE | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N413B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 200V 100A 2PIN DO-205AA - Bulk 制造商:TRANSITRON 功能描述: |
| 1N413BR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon Power Rectifier |
| 1N4148 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Gen Pur SMALL SIGNAL DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4148 A0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1N4148 AMMO-BOX 5K 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin DO-35 Ammo |
| 1N4148 A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 |
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