型号: | 1N4149VG |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | 1N4149VG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4149VH | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4149VM | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4150FV | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4150HL | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4150VE | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N4150 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 Vr/50V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4150 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
1N4150 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 |
1N4150 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SILICON DIODES 300MA |
1N4150 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODES SMALL SIGNAL ROHS COMPLIANT:NO |