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参数资料
| 型号： | 1N4150-35B |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 1N4150-35B |
PAGE . 2
STAD-FEB.06.2009
1N4150
LEAKAGE CURRENT
FORWARD VOLTAGE
100
1000
01.0
2.0
10
1.0
0.1
0.01
10
0
1.0
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
50
3.0
4.0
0
2.0
1.0
0
24
6
8
T =150 C
J
O
T =125 C
J
O
T=85 C
J
O
T=55 C
J
O
T
=25
C
J
O
POWER DERATING
0
200
300
500
400
100
50
100
150
200
P
OWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D,
DIODE
C
AP
ACIT
ANCE,
pF
AMBIENT TEMPERATURE( C)
O
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
TYPICAL CAPATICANCE
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
FOR
W
A
RD
CURRENT
,m
A
REVERSE
CURRENT
,uA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4150W/D4 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4151WS-V-GS08 | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4245 | Passivated Rectifier |
| 1N4246 | Passivated Rectifier |
| 1N4247 | Passivated Rectifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N4150T&R | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述: |
| 1N4150-T/R | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIGNAL 50V DO-35 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 50V, DO-35 |
| 1N4150T-72 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 200MA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4150T-77 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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