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参数资料
| 型号： | 1N4448HWT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 173K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 150MW SOD-523 |
| 其它图纸： | SOD-523 Top, Side |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 125mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 3pF @ 0.5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1597 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4448HWT-FDIDKR 1N4448HWT-FDIDKR-ND 1N4448HWTDIDKR |
1N4448HWT
Document number: DS30395 Rev. 10 - 2
2 of 4
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
1N4448HWT
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 7)
PD
150 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 7)
R?JA
833 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150 °C
Electrical Characteristics
(@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Conditions
Reverse Breakdown Voltage (Note 8)
V(BR)R
80
?
V
IR
= 100
?A
Forward Voltage
VF
0.62
?
?
?
0.72
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 5.0mA
IF
= 10mA
IF
= 100mA
IF
= 150mA
Peak Reverse Current (Note 8)
IR
?
100
50
30
25
nA
μA
μA
nA
VR
= 80V
VR
= 75V, T
J
= +150°C
VR
= 25V, T
J
= +150°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
3.0 pF VR
= 0.5V, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
?
Notes: 7. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
50
02550 75
100
125
P
,
P
O
WE
R
D
ISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Power Derating Curve
100
200
150
150
0.1
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
1
10
100
1000
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (mV)F
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (mA)
F
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = -55°CA
T = 25°CA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4448W-7-F | DIODE SWITCH 75V 400MW SOD123 |
| 1N4448WS-7-F | DIODE SWITCH 75V 200MW SOD-323 |
| 1N4448WSF-7 | DIODE 75V 250MA SOD323F |
| 1N4448WS | DIODE 75V 150MA SOD323F |
| 1N4448WT | DIODE 75V 200MA SOD523F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4448HWT-7-F | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/80V Io/125mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE |
| 1N4448R0 | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:500mW High Speed Switching Diode |
| 1N4448T | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448-T | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V If/500mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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