参数资料
型号: 1N4448VC
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 176K
代理商: 1N4448VC
相关PDF资料
PDF描述
1N4448VE 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4448VM 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N914BHG 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N914BVG 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N914BVM 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4448W 功能描述:稳压二极管 Switching diode 400 mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N4448W _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4448W RH 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Switching 75V 0.15A 2-Pin SOD-123F T/R 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin SOD-123F T/R
1N4448W RHG 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000
1N4448W_ 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODE