型号: | 1N4453 |
元件分类: | 限压二极管 |
英文描述: | SILICON, STABISTOR DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 67K |
代理商: | 1N4453 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPD200 | SILICON, STABISTOR DIODE |
1N4454 | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4462BK | 7.5 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4464TR | 9.1 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4467BK | 12 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N4454 | 功能描述:整流器 Vr/75V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N4454 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
1N4454 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:2,500 |
1N4454 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 |
1N4454 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE, FAST RECOVERY, 200mA, 75V, DO-35 |