- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录70161 > 1N4454 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N4454 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | 1N4454 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6102AUS | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6103AUS | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6104AUS | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6105US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6106US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4454 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4454 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:2,500 |
| 1N4454 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 |
| 1N4454 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE, FAST RECOVERY, 200mA, 75V, DO-35 |
| 1N4454_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。