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参数资料
| 型号： | 1N4454TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 19K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 50V DO-35 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4454CT 1N4454TRCT 1N4454TRCT-ND |
1N4454
1N4454
DO-35
High Conductance Ultra Fast Diode
Sourced from Process 1R. See MMBD1201-1205 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
WIV
Working Inverse Voltage 50 V
IO
Average Rectified Current 200 mA
IF
DC Forward Current 400 mA
if
Recurrent Peak Forward Current 600 mA
if(surge)
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Characteristic Max Units
1N4454
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
500
3.33
mW
mW/°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Discrete POWER & Signal
Technologies
?1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4454-TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/100V Io/10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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