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参数资料
| 型号： | 1N4454TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 19K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 50V DO-35 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4454CT 1N4454TRCT 1N4454TRCT-ND |
1N4454
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units
BV
Breakdown Voltage
IR
= 5.0
μA
75 V
IR
Reverse Current VR
= 50 V
VR
= 50 V, T
A
= 150
°C
100
100
nA
μA
VF
Forward Voltage
IF
= 250
μA
IF
= 1.0 mA
IF
= 2.0 mA
IF
= 10 mA
505
550
610
575
650
710
1.0
mV
mV
mV
V
CO
Diode Capacitance VR
= 0, f
= 1.0 MHz 4.0 pF
TRR
Reverse Recovery Time IF
= 10 mA, V
R
= 1.0 V,
Irr
= 1.0 mA, RL
= 100
Ω
4.0 nS
High Conductance Ultra Fast Diode
(continued)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4454-TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/100V Io/10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4454UR | 制造商:CDI-DIODE 制造商全称:Compensated Deuices Incorporated 功能描述:SWITCHING DIODE |
| 1N4454UR-1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-213AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SWITING 50V 0.2A 2PIN DO-213AA - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-213AA |
| 1N4454UR-1_04 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SWITCHING DIODE |
| 1N4454UR1JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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