- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20135 > 1N459A_T50R (Fairchild Semiconductor)DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N459A_T50R |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 27K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35 |
| 标准包装： | 30,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25nA @ 175V |
| 电容@ Vr, F： | 6pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
December 2004
1N459/A Rev. A
1N459/A Small Signal Diode
1N459/A
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 500 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA 200 V
VF
Forward Voltage
1N459A
IF
= 3mA
IF
= 100mA
1.0
1.0
V
V
IR
Reverse Leakage 1N459
1N459A
VR
= 175V, T
A
= 150
°C
5
μA
VR
= 175V
25
nA
CT
Total Capacitance 1N459A VR
= 0, f = 1.0MHz 6.0 pF
DO-35
Color Band Denotes Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAJB107M010RNJ | CAP TANT 100UF 10V 20% 1210 |
| VI-243-EV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W |
| IDT71V67602S150BQI | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA |
| 1N458A_T50R | DIODE HI CONDUCTANCE 150V DO-35 |
| IDT71V67602S150BQ8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N459ATR | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N459STR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 1N459-T50R | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:最後搶購 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:1N459 标准包装:1 |
| 1N459TR | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4603 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。